За допомогою імпульсного ехо-методу в діапазоні частот 37,6 - 232,5 МГц на кристалах LiF за T = 300 K вивчено поведінку дислокаційного декремента <$E DELTA sub d (f)> за умов варіювання величини залишкової деформації та рентгенівського опромінення в інтервалі 0 - 400 Р. Встановлено, що зі зростанням дози опромінення спостерігається ефект гасіння амплітуди дислокаційного резонансу, що призводить до помітного відновлення вихідних акустичних характеристик кристалів. Виявлено, що ефективна довжина дислокаційного сегмента L монотонно зменшується, а коефіцієнт динамічної в'язкості B зберігає своє значення за збільшення дози опромінення кристалів. Результати дослідів обговорено в межах існуючих теорій.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.227

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"