Проведено сравнительное исследование фотолюминесцентных (ФЛ) свойств синтезированных в условиях избытка алюминия нановискеров с диаметром <$E60~symbol С~20> нм и объемных монокристаллов AlN при комнатной температуре. Обнаружено, что спектры ФЛ для нановискеров AlN характеризуются тремя компонентами Гауссовой формы с энергиями максимума 3,16, 2,90 и 2,55 эВ и полушириной 0,7, 0,4 и 0,7 эВ соответственно. Показано, что в люминесценции исследуемых объемных и наноструктурных образцов присутствуют одни и те же полосы свечения - 3,2 и 2,6 эВ. Регистрируемые полосы отнесены к электрон-оптическим переходам между донорными уровнями <$Eroman O sub N sup ->, VN-центров и акцепторными состояниями CN-центров и (ON - VAl)-комплексов.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"