Жарких Ю. С. Применение метода динамического конденсатора в полупроводниковой сенсорике / Ю. С. Жарких, С. В. Лысоченко, О. В. Третяк // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2013. - 10, № 3. - С. 36-43. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Рассмотрено применение метода динамического конденсатора, для определения зарядового состояния системы диэлектрик-полупроводник. Расчетным путем установлено, что измеряемая величина напряжения на конденсаторе имеет простую пропорциональную связь с зарядом, локализованным на поверхности диэлектрика. Этот расчетный вывод подтвержден в экспериментах по контролируемому осаждению заряда на структуры Si - SiO2. Приведены примеры использования рассматриваемого метода для определения величины и знака заряда, локализуемого на поверхности диэлектрического слоя, величины поверхностной фотоэдс и условий ее возникновения, а также для исследований кинетики адсорбционно-десорбционных процессов. Показано, что метод динамического конденсатора может быть эффективно применен в исследованиях по созданию новых базовых элементов сенсорики и в разработках способов улучшения характеристик источников фотоэдс. Метод позволяет прогнозировать возможность получения необходимых характеристик приборов уже на начальных технологических этапах их создания. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|