Новосядлий С. П. Вплив арсенідгелієвої технології на формування структур інтегральних схем / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2014. - № 3/5. - С. 25-32. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.
Мета роботи - визначення взаємозв'язку межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур таких приладів повинна забезпечувати необхідну стабільність структури міжфазної межі та можливість одержання високоякісних шарів на великій площі підкладок (діаметром >> 100 мм).
Шифр НБУВ: Ж24320Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика УкраїниДодаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"