Експериментально визначено вплив наявності низьковимірної провідності на параметри шумових процесів. Досліджено особливості поведінки шуму в субмікронних Si МОН польових транзисторах, в інверсному каналі яких має місце помітне квантування електронів по енергії, в AlGaN/GaN гетероструктурах з двовимірним каналом провідності, а також в вуглецевих нанотрубках і польових транзисторах на їх основі. Виявлено зв'язок нетипової залежності постійної часу захоплення електронів на центри в шарі SiO{\dn\fs8 2} від струму каналу із квантуванням електронів по енергії. Описано та знайдено причини виникнення компонент надлишкового шуму в AlGaN/GaN гетероструктурах, характерних для польових структур із двовимірним каналом провідності, запропоновано модель нерівноважного низькочастотного шуму. Досліджено й описано особливості шуму квантової провідності вуглецевих нанотрубок, виявлено та пояснено нетипову лінійну залежність величини флікер-шуму від струму в області стрибкової провідності. Визначено джерела шуму польових транзисторів на основі вуглецевих нанотрубок як в підпороговому режимі, так і в режимі насичення. З'ясовано вплив радіації на транспортні та шумові характеристики приладів, встановлено, що доза 106 рад сприяє впорядкуванню структури та покращенню характеристик польових транзисторів на основі вуглецевих нанотрубок. Встановлено, що низькочастотний РТС шум, що супроводжує струм через одиночну молекулу, розміщену між контактами механічно контрольованого розривного переходу, викликаний конфігураційними флуктуаціями і є фундаментальною характеристикою системи.

• Петричук Михайло Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"