Вдосконалено технологію покращення оптичного пропускання напівізолювального GaAs в ІЧ-області спектру за рахунок осадження алмазоподібних вуглецевих плівок (АВП), яка дозволяє збільшувати пропускання в широкій спектральній області та інтегральне пропускання в області просвітлення. Вперше виявлено немонотонний характер зміни оптичного пропускання кристалів GaAs з просвітлюваними АВП у разі збільшення дози γ-опромінення, ефект покращення оптичного пропускання таких елементів ІЧ-оптики за великих доз опромінення, встановлено механізм даного ефекту. Вперше з'ясовано, що одночасне використання просвітлювальних АВП та концентрованого сонячного випромінювання дозволяє покращити к.к.д. сонячних елементів на основі мультикристалічного кремнію більш ніж в 1,5 раза. Встановлено механізми зміни оптичних і структурних властивостей АВП і плівок SiO₂ під дією іонно-плазмових обробок та ультрафіолетового опромінення, що дозволило контрольованим чином змінювати властивості плівок.

• Лозінський Володимир Борисович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"