Встановлено, що у нестехіометричному германій телуриді домінуючими дефектами є дво- та чотирикратно йонізовані вакансії германію (V_Ge^2-,V_Ge^4-), які визначають залежність концентрації основних носіїв заряду від температури та хімічного складу кристала. Вакансії телуру V¹⁺V_Te та антиструктурні атоми германію Ge_Te^1-, за заданих досліджуваних технологічних умов, суттєво не змінюють концентрацію вільних носіїв, а вплив антиструктурного дефекту Te_Ge¹⁺ є помітним лише для температур вище 750 К та концентрацій надлишкового телуру понад 0,04 ат. % Те. Показано, що відпал кристалів GeTe, у порівнянні з невідпаленими, у парі телуру P₂^Te призводить до суттєвого зменшення антиструктурних дефектів [Te_Ge¹⁺]. На основі термохімічних даних вперше розраховано енергії утворення моновакансій металу та халькогену, а також антиструктурних дефектів у кристалах GeX (X = S, Se, Те). Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з домішкового атома заміщення та вакансії у сусідньому вузлі. Встановлено, що легування амфотерною домішкою Ві германій телуриду не призводить до значних деформацій гратки в околі дефекту заміщення у випадку заміщення металу та халькогену, що зумовлює низьку ймовірність компенсації їх електричної дії вакансійними комплексами. Проведено кристалохімічний аналіз дефектної підсистеми твердих розчинів GeTe-Bi₂Te₃ на основі GeTe.

• Юрчишин Любов Дмитрівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"