Юрчишин Л. Д. Фізико-хімічні властивості та дефектна підсистема германій телуриду і твердих розчинів на його основі : автореф. дис. ... канд. хім. наук : 02.00.21 / Л. Д. Юрчишин; МОНМС України, ДВНЗ "Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника". - Івано-Франківськ, 2013. - 24 c. - укp.Встановлено, що у нестехіометричному германій телуриді домінуючими дефектами є дво- та чотирикратно йонізовані вакансії германію (VGe2-,VGe4-), які визначають залежність концентрації основних носіїв заряду від температури та хімічного складу кристала. Вакансії телуру V1+VTe та антиструктурні атоми германію GeTe1-, за заданих досліджуваних технологічних умов, суттєво не змінюють концентрацію вільних носіїв, а вплив антиструктурного дефекту TeGe1+ є помітним лише для температур вище 750 К та концентрацій надлишкового телуру понад 0,04 ат. % Те. Показано, що відпал кристалів GeTe, у порівнянні з невідпаленими, у парі телуру P2Te призводить до суттєвого зменшення антиструктурних дефектів [TeGe1+]. На основі термохімічних даних вперше розраховано енергії утворення моновакансій металу та халькогену, а також антиструктурних дефектів у кристалах GeX (X = S, Se, Те). Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з домішкового атома заміщення та вакансії у сусідньому вузлі. Встановлено, що легування амфотерною домішкою Ві германій телуриду не призводить до значних деформацій гратки в околі дефекту заміщення у випадку заміщення металу та халькогену, що зумовлює низьку ймовірність компенсації їх електричної дії вакансійними комплексами. Проведено кристалохімічний аналіз дефектної підсистеми твердих розчинів GeTe-Bi2Te3 на основі GeTe. Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.315-2 + Г563,0
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА396388 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|