Севрюкова В. А. Вплив параметрів магнетронного осадження та товщини молібденового шару на структурні перетворення в багатошарових покриттях Mo/Si : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / В. А. Севрюкова; НАН України, Ін-т електрофізики і радіац. технологій. - Х., 2013. - 20 c. - укp.Увагу приділено встановленню впливу товщини молібденового шару, тиску робочого газу та потенціалу зміщення на підкладці на структурний стан шарів молібдену й аморфних перемішаних зон (АПЗ) в багатошарових покриттях (БП) Mo/Si. Перехід молібдену з аморфно-кластерного стану в кристалічний відбувається в інтервалі номінальної товщини 1,9 < tMoHOM < 2,5 нм. Кристали, які утворюються, мають нерівновісну форму з розмірами 3 ÷ 4 × 15 ÷ 30 нм. Зміна тиску робочого газу в інтервалі 0, 213 - 0, 266 Па супроводжується зменшенням усадки БП, яка обумовлена зміною хімічного складу АПЗ від силіциду MoSi2 до Mo5Si3 на міжфній межі Мо-на-Si. Встановлено, що збільшення потенціалу зміщення на підкладці під час осадження шарів молібдену та кремнію від 0 до - 200 В призводить до незначного збільшення товщини аморфних перемішаних зон, приблизно на 0,2 - 0,3 нм. Значне збільшення їх товщини, майже вдвічі, відбувається за збільшення потенціалу зміщення до - 300 В. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + К663.030.022-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА398221 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|