Визначено способи обробки одноперехідних кристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП) з горизонтальною діодною структурою в стаціонарному магнітному полі (СМП), які забезпечують підвищення їх ККД у 1,1 - 1,4 раза за рахунок збільшення переважно густини струму короткого замикання, що зумовлено експериментально зафіксованим зростанням часу життя нерівноважних неосновних носіїв заряду у базових кристалічних шарах таких приладів з-за зниження концентрації рекомбінаційних центрів усередині цих шарів під дією однорідного та неоднорідного СМП. Вперше експериментально виявлено, що за орієнтації вектору магнітної індукції однорідного СМП паралельно до опромінюваної поверхні багатоперехідних (БП) Si-ФЕП з вертикальними діодними комірками (ВДК) та під кутом 90 ° до вектору густини фотоструму при погляді з боку прямого надходження випромінювання незалежно від величин В, коефіцієнту концентрації сонячного випромінювання К_B і температури Т відбувається максимальне підвищення ККД таких приладів зі зростанням В. Розроблено та створено фотоенергетичний модуль нової генерації та фотоенергетичну установку (ФЕУ) на основі примусово охолоджуваних БП Si-ФЕП, принциповою відмінною особливістю якого є розташування виготовленої з БП Si-ФЕП сонячної мінібатареї (СМБ) в однорідному СМП оптимального напряму, яке створюється постійними магнітами та дозволяє підвищити ККД СМБ не менше, ніж в 1,1 раза при В = 0,2 Тл. Така ФЕУ надає можливість поряд з електричною енергією додатково одержувати низькопотенційну теплову енергію.

• Зайцев Роман Валентинович (1986–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"