Вивчено процеси фотогенерації та рекомбінації нерівноважних носіїв заряду та встановлено механізми фотопровідності у напівпровідникових гетероструктурах SiGe/Si та InGaAs/GaAs з квантово-розмірними об’єктами. Узагальнено результати досліджень морфологічних, структурних, оптичних та електричних властивостей напівпровідникових наногетероструктур Si_1-xGe_x/Si та In_xGa_1-xAs/GaAs. Показано, що фотопровідність наногетероструктур SiGe/Si в інфрачервоному діапазоні в залежності від компонентного складу, розміру та величин механічних напружень наноострівців Si_1-xGe_x визначається міжзонними або внутрішньозонними переходами за участю локалізованих станів валентної зони наноострівців. Вперше виявлено ефекти залишкової провідності та оптичного гасіння провідності в гетероструктурах SiGe/SiO₂p/Si з нанокластерами SiGe пов’язані з варіаціями електростатичного потенціалу в p-Si та оптичною перезарядкою станів інтерфейсу SiO₂/Si та нанокластерів SiGe. Встановлено, що додатній заряд, захоплений наноострівцями SiGe, впливає на термічно активований обмін дірками між станами змочувального шару та наноострівців і загалом визначає провідність p-i-n гетероструктур Si/Ge за низьких температур. Визначено електронний спектр інтерфейсних станів у найближчому оточенні GaAs гетероструктур InGaAs/GaAs з квантовими точками та квантовими нитками та показано, що ці стани є центрами прилипання для електронів і визначають високу фоточутливість та довготривалу кінетику фотопровідності. Вперше виявлено ефект оптичного гасіння фотопровідності в багатошарових наногетероструктурах InGaAs/GaAs зумовлений оптичною перезарядкою EL2 центрів та варіаціями ширини забороненої зони в проміжних шарах GaAs.

• Кондратенко Світлана Вікторівна (педагогічні науки)
• Кондратенко Сергій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Шокалюк Світлана Вікторівна (педагогічні науки)
• Кондратенко Світлана Володимирівна (філософські науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"