Досліджено акустостимульовані (АС) зміни акустичних, електрофізичних і фотоелектричних властивостей напівпровідникових кристалів за дії ультразвуку (УЗ). В Cd_xHg_1-xTe (х=0.17 - 0.23) виявлено нові динамічні АС ефекти: акустопровідність та інверсія типу провідності, акустополяризацію, дисперсію УЗ хвиль, акустичну емісія. Встановлено резонансний характер взаємодії УЗ. Показано можливість покращення фізичних характеристик матеріалу й їх стабільності. Запропоновано нові методики дослідження дефектів: динамічний акусто-холл, термоакустичний відпал, імпульсну акустопровідність. Вивчено механізми АС відновлення радіаційно пошкоджених напівпровідникових пристроїв. У радіаційно-опромінених зразках Si та Ge виявлено й ідентифіковано "акустоактивні дефекти", які характеризуються наявністю метастабільних станів; АС перехід між ними супроводжується повторно-оборотними змінами електрофізичних характеристик. Реалізовано використання УЗ в процесі йонної імплантації в кремнієві пластини та структури. Виявлено позитивні АС ефекти за технологічних операцій виготовлення p-n переходів. Проведено аналіз процесів дефектоутворення за нерівноважних умов, викликаних одночасними іонною імплантацією та дією УЗ. Показано можливість АС посилення процесів самоорганізації. Проведено узагальнену систематику АС явищ у напівпровідниках.

• Оліх Ярослав Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"