Столбовий В. О. Структура і фізико-механічні властивості вакуумно-дугових наноструктурних Ti-N i Mo-N покриттів : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / В. О. Столбовий; НАН України, Ін-т електрофізики і радіац. технологій. - Х., 2012. - 20 c. - укp.Вперше визначено фізико-технологічні закономірності та реалізовано процеси синтезу надтвердих Mo-N покриттів із застосуванням низькоенергетичної імпульсної обробки в процесі осадження. Показано, що надтверді Mo-N покриття складаються з низькотемпературної фази β-Mo2N з тетрагональними гратками та високотемпературної γ-Mo₂N із ГЦК гратками, а також фази Mo3N2. Розмір кристалітів становить 9 - 12 нм для Mo₂N покриттів із твердістю більше 45 ГПа. Вперше встановлено, що збільшення твердості обумовлене ростом вмісту в покритті низькотемпературної β-Mo2N фази. Розроблено та реалізовано процеси осадження надтвердих Mo-N покриттів за температур підкладки на рівні 150 °С. Створено та досліджено надтверді наноструктурні TiN покриття з використанням іонної імпульсної обробки в процесі їх осадження на підкладках зі швидкорізальної сталі Р6М5 з температурою 100 - 500 °С. Дані покриття мають твердість (50 - 65 ГПа) і розмір кристалітів 12 - 14 нм. Показано, що в досліджених інтервалах тисків азоту покриття складається з фази TiN, однак за потенціалу підкладки - 200 В як з імпульсною обробкою, так і без неї аксіальна текстура переважно [111], а за потенціалу підкладки - 20 В з імпульсною обробкою відбувається формування полікристалічного покриття без помітної переважної орієнтації площин росту кристалітів. Визначено оптимальні умови осадження вакуумно-дугових надтвердих наноструктурних TiN покриттів, дотримання яких забезпечує збереження твердості в межах 10 % протягом більше чотирьох років. Індекс рубрикатора НБУВ: К663.033.05-18
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА389186 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|