Вперше проведено систематичне дослідження впливу лазерного випромінювання на електричні, теплофізичні та оптичні властивості твердих тіл, зокрема: - розраховано хвильову функцію електрона провідності в напівпровідниках в полі когерентних світлових (лазерних) пучків та вивчено характер руху електрона провідності в таких умовах; - з використанням теорії квантових переходів Дірака побудовано кінетику нерівноважних взаємодіючих квазічастинок в напівпровідниках у полі інтенсивного лазерного випромінювання. Встановлено закономірності розповсюдження електромагнітних хвиль в феромагнітних напівпровідниках з лазер-індукованими періодичними поверхневими структурами на вільних носіях. Досліджено процес розігрівання поверхні твердого тіла кількома лазерними пучками, що створюють на його поверхні одно- та двовимірну інтерференційну картину та знайдено просторово-періодичний розподіл температури на поверхні та в об'ємі твердого тіла. Встановлено, що за допомогою інтенсивного лазерного випромінювання можна проводити мікро-нано структурування поверхні термоелектричних напівпровідників типу Cu₂Se. Властивості лазер-індукованих поверхневих періодичних структур з кроком 5 - 10 мкм, що за таких умов виникають, залежать, в першу чергу, від довжини хвилі лазерного випромінювання й абляційних характеристик напівпровідника. Побудовано теорію некогерентного розсіяння світла поверхнею фото пружного середовища. Розраховано сумарний інтегральний коефіцієнт некогерентного відбивання світла поверхнею фотопружного середовища та досліджено його кутову залежніст. Розвинено теорію розсіяння електромагнітних хвиль шорсткою поверхнею з фрактальним рельєфом, проведено чисельні розрахунки коефіцієнта розсіяння та побудовано графічні залежності нормованої індикатриси розсіяння. Встановлено, що розраховане положення піку поглинання світла наночастинками золота радіусом 20 нм, шо лежать на підкладці з арсеніду галію (λ≈510 нм), цілком узгоджується з теоретичним значенням фрьоліхівської довжини хвилі для золотих кульок (λ≈520 нм) та з експериментальними даними (λ≈530 нм). Знайдено польові залежності перерізів розсіяння та трансформації електромагнітних хвиль на флуктуаціях в напівпровідниках типу n-InSb. Показано, що вони відрізняються від томсонівського перерізу розсіяння електромагнітних хвиль вільними електронами, що свідчить про необхідність врахування в процесах розсіяння та трансформації електромагнітних хвиль в напівпровідниках з високою рухливістю носіїв орієнтацій хвильового вектора падаючої електромагнітної хвилі відносно напрямку зовнішнього гріючого електричного поля.

• Семчук Олександр Юрійович (1950–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"