Встановлено основні типи та параметри діелектричних спектрів шаруватих кристалів GaSe, InSe та In₄Se₃ в діапазоні низьких частот. Встановлено вплив ступеня структурної досконалості досліджених шаруватих кристалів на характер і параметри низькочастотних діелектричних спектрів. Вперше виявлено кореляцію кінетики діелектричної поляризації з кінетикою фотопровідності, запропоновано модель екранування захоплених на пастки носіїв навколишнім середовищем з квазілокалізованих носіїв заряду для пояснення виявленої кореляції. Вперше пояснено характер еволюції діелектричного спектра у разі зміни температури в діапазоні домінування дисперсії, властивої для систем із стрибкоподібним переміщенням зарядів. Запропоновано феноменологічний опис температурної поведінки діелектричного спектра типу ω^-(1-n), де ω - циклічна частота, n ≈ 0,8. Виявлено значну залежність діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe від прикладеного нормально до шарів одновісного тиску в інтервалі домінування дисперсії типу ω^-(1-n), де n ≈ 0,8. Вперше проаналізовано характер зміни діелектричного спектра, властивого для систем із стрибкоподібним переміщенням зарядів, під дією одновісного тиску.

• Флюнт Орест Євгенійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"