Вивчено закономірності впливу ядерного опромінення та теплових полів на кінетичні ефекти та процеси дефектоутворення в кристалах Si і Ge. На основі одержаних експериментальних даних і результатів розрахунків процесів відпалу точкових дефектів в опромінених кристалах досліджено різні механізми взаємодії радіаційних дефектів між собою, з легуючими та фоновими домішками, запропоновано відповідні реакції, які пояснюють процеси трансформації дефектів. Визначено розташування та величини потенціальних бар'єрів на шляху міграції міжвузлового атома вуглецю до кисню в об'ємі радіуса 14,7 Å захоплення C_i атомом О_i. Показано, що енергія активації відпалу А-центрів при взаємодії з вакансійно-водневими дефектами зменшується від 1,1 до 0,7 еВ зі збільшенням концентрації Pt в кремнії. З'ясовано особливості змін параметрів анізотропії рухливості К і анізотропії термоерс М, виміряних на монокристалах n-Si <Р>, близьких за вихідними параметрами, але різного способу легування, як до, так і після використаних термообробок. Запропоновано метод визначення ступеня компенсації для домішок мілкого залягання у кристалах n-Si з невиродженим електронним газом та розраховано номограми, які забезпечують зручність практичного використання цього методу. Встановлено механізми впливу термовідпалів різної тривалості та охолодження з різними швидкостями на структурні властивості бездислокаційних кристалів n-Si (Cz) як за 300 К, так і за 77 К.

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"