Знайдено, що залежності r_cТ електроопору інтерфейсів металооксидних сполучень YВаСиО(ВіSrРbСаСuО)/Аu(Аg,Іn,Рb) демонструють в інтервалі 300 К_c(Т_c) напівпровідниковий хід і мають аномалії, корелюючі з аномаліями фізичних властивостей цих металооксидних сполучень, зокрема, з параметрами кристалічних комірок. Згідно із запропонованою моделлю інтерфейсу МОС/ Ме це пояснено зв'язком r_c зі щільністю n_f вільних носіїв заряду МОС. Визначено аномалії n_fT), які вказують на відкриття псевдощілини і зміну структури електронної підсистеми. Досліджено залежності r_c(Т) та швидкості повзучості в інтервалі Т<Т_c показано аналогію впливу надпровідного переходу на механічні властивості низько- та високотемпературних надпровідників. Результати вимірювання електроопору та термоЕРС монокристалічного Sn свідчать про існування вище Т ≈ 430 К Ƴ -модифікації. Вперше знайдено низькотемпературні аномалій загартованого Sn, що пояснено присутністю кластерів Ƴ-Sn у метастабільному стані.

• Фролов Валерій Олексійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"