Досліджено фізичні закономірності та композиційні особливості прояву метастабільності структурно-релаксаційних перетворень у халькогенідних склуватих напівпровідниках (ХСН) на основі сульфідів, селенідів та селено-телуридів арсену, викликаних зовнішніми чинниками та процесами їх хіміко-технологічної модифікації. Одержано ХСН на основі арсен сульфіду (склуватий As₂S₃ та його псевдобінарні сплави As₂S-Sb₂S₃) та селеніду (склуватий As₂Se₃ та Gа-місткі сплави на його основі, серед них активовані рідкісноземельними йонами типу Pr³⁺) за технологічних умов широкої варіації їх структурного упорядкування. Розроблено методології експериментальної діагностики метастабільності ХСН на підставі вивчення особливостей їх атомної та атомно-дефіцитної (пустотно-порожнинної) будови. Вивчено ефекти відхилення від стехіометрії, зміни режимів загартування та післятехнологічних радіаційних впливів у формуванні оптичних властивостей сульфідних ХСН. Вивчено також ефекти функціональної метастабільності, обмеженої спонтанними кристалізаційними процесами, в селенідних та селено-телуридних Ga-містких склуватих сплавах, зокрема модифікованих рідкісноземельними активаторами. Встановлено адекватні мікроструктурні механізми та побудовано феноменологічні моделі формування внутрішньо- та зовнішньо-індукованої метастабільності ХСН.

• Шпотюк Ярослав Олегович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"