В результаті комплексного дослідження морфології поверхні, структурних (фазовий склад, розмір зерна, якість текстури, параметри кристалічної гратки) та субструктурних (рівень мікродеформацій, розмір областей когерентного розсіювання, густина дислокацій на межах та в об'ємі субзерен) характеристик плівок CdSe та ZnSe встановлено їх залежність від фізико-технологічних умов одержання у квазізамкненому об'ємі. Вперше визначено сталі гратки (а, с) вюрцитної фази CdSe методами Бредлі - Джея та Нельсона - Рілі з використанням ітераційної процедури для підвищення точності, що дозволило встановити вплив температури підкладки на значення а, с та їх відношення с/a. Встановлено, що це відношення складно змінюється залежно від температури конденсації плівок в інтервалі від 1,631 до 1,621, що обумовлено зміною стехіометрії матеріалу. Вперше одержано спектри раманівського розсіювання від полікристалічних плівок ZnSe, нанесених за різної температури підкладки методом квазізамкненого об'єму. Піки, виявлені на спектрах високотемпературних конденсатів, інтерпретовано як ТО- і LO-моди та їх фононні повторення, наявність фононних повторень LO-мод високого порядку підтверджує висновок структурних досліджень про високу якість таких плівок. На основі дослідження оптичних, люмінесцентних та електричних властивостей плівок селеніду кадмію і цинку виявлено їх зв'язок зі структурними особливостями конденсатів. З'ясовано оптимальні фізико-технологічні умови конденсації напівпровідникових шарів з якісною структурою та за цих умов одержано гетероперехід p-ZnTe/n-CdSe. Встановлено, що за умов підвищення температури підкладки до 673 К відбувається процес гетероепітаксіального нарощення шару ZnTe на підшарі CdSe у межах полікристалічних зерен, що покращує характеристики гетероструктур.

• Іващенко Максим Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"