Вперше виявлено вплив викривлення графенових нанолистів на тонку структуру СКα-смуг на основі одержаних даних про відмінність у відносній інтенсивності π-підсмуг для окиснених та відновлених графенових шарів. Встановлено, що внаслідок взаємодії 2 p-станів кисню з електронами, які заселяють С pπ-орбіталі в окиснених графенових нанолистах, відбувається локальна деформація шарів, що обумовлює їх викривлення. Виявлено, що енергія зв'язку 2p-електронів, які забезпечують spⁿ (2 < n < 3) σ-зв'язки у вуглецевих шарах нанокапсул, менша, ніж у вуглецевих оніонах, що обумовлено різною кривизною шарів (001) нанооб'єктів. Показано, що внаслідок викривлення (001) шарів порожнистих вуглецевих нанокапсул зменшується різниця в ступенях перекриття πp_z-станів та spⁿ-гібридних орбіталей над їх поверхнею в порівнянні з вуглецевими нанокапсулами, які заповнені наночастинками металів. З'ясовано, що механоактиваційне нашарування високопористого вуглецю на наночастинки кремнезему спричиняє перенесення електронів від вуглецю до кремнію та кисню, що свідчить про взаємодію поверхневих атомів нанокремнезему з атомами вуглецю.

• Ільків Богдан Ігорович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"