Тимочко М. Д. Гальваномагнітні явища у модифікованих ультразвуком та γ-опроміненням кристалах CdMnHgTe, Ge, Si : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / М. Д. Тимочко; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова. - К., 2011. - 20 c. - укp.Встановлено кореляцію між умовами ультразвукового впливу, фазового складу, величиною внутрішніх напружень і динамікою дефектної системи кристалів МРТ і КМРТ. Показано, що механізм довготривалої ультразвукової обробки полягає у витісненні ртуті з об'єму напівпровідника, що веде до збільшення вмісту Mn та Cd. Підтверджено підвищену радіаційну стабільність кристалів MnHgTe та CdMnHgTe порівняно з CdHgTe. Встановлено залежність ефективності ультразвукового впливу на електрофізичні характеристики кристалів p-Ge від величини магнітного поля та температури. Запропоновано механізм акустостимульованої зміни електрофізичних параметрів p-Ge, що полягає в акустоіндукованій інверсії заселеності рівнів легких і важких дірок в результаті зміни ступеня розсіювання на йонізованих домішках. Запропоновано модифіковану схему перебудови радіаційних дефектів під дією ультразвуку в об'ємних γ-опромінених кристалах n-Si. Показано, що відповідальними за акустостимульовані зміни електрофізичних параметрів є комплекси радіаційних дефектів, встановлено природу даних акустоактивних центрів. Виявлено гістерезис температурних залежностей коефіцієнта Холла в γ-опромінених кристалах n-Si, досліджено ефект його розширення під дією ультразвукового навантаження та звуження у випадку ультразвукової обробки. Показано, що гістерезис обумовлений довготривалим характером акустостимульованої перебудови акустоактивних центрів у результаті їх збурення фоновими домішковими атомами, реалізується дифузійний механізм утворення "тимчасових" комплексів дефектів. Вперше в реальному часі (in-situ) за допомогою імпульсного ультразвукового навантаження вивчено кінетику акустостимульованої релаксації електропровідності в зразках γ-опроміненого n-Si-Fz, яка пов'язана з метастабільним характером просторової переорієнтації та зміни зарядового стану анізотропних радіаційних дефектів. Розглянуто координатно-конфігураційну модель процесу, на основі якої з використанням експериментальних результатів одержано характерні енергетичні параметри акустоактивних центрів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.274,022 + В379.227,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА386465 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|