Вперше методом електронографії показано, що ближнє оточення атомів Bi в аморфних шарах GeSe - Bi та GeS - Bi реалізується через утворення структурних одиниць пірамідального типу BiX_3/2 (X = Se, S), які зв'язані між собою або по атомах основної матриці по атомах халькогену. Встановлено закономірності зміни механізму електропровідності аморфних плівок GeSe, GeS за умов модифікування вісмутом, що розширює можливості ефективного контролю таких процесів. Вдосконалено використання першопринципних розрахунків електронної структури кластерів у поєднанні з оптико-спектральними дослідженнями для пояснення зміни ширини енергетичної щілини аморфних матеріалів у разі додавання модифікатора. Експериментально встановлено, що зміни електрофізичних та оптичних властивостей аморфних плівок GeSe, (GeS)_1-xBi_x (x ≤ 0,15) наступають за доз (2,25 - 4,5) ∙ 10^-6 Кл/см² для електронного опромінення, причому плівки α-GeS характеризуються більшою стійкістю у порівнянні з α-GeSe, і 10⁴ - 10⁶ Гр для γ-опромінювання плівок α-GeSe. Розвинуто модель будови енергетичної щілини аморфних плівок монохалькогенідів германію з урахуванням особливостей її перебудови за модифікування вісмутом, дії електронного та γ-опромінювання.

• Романюк Роман Романович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"