Досліджено оптичні властивості й електронну будову у діапазоні енергій збудження від 0,025 до 60,0 еВ полікристалічних плівок InN, одержаних методом низькотемпературного плазмохімічного синтезу. Експериментально визначено основні параметри напівпровідникових плівок InN: ширина енергетичної щілини E_gopt= 2,05 еВ; тип електронних переходів - прямі та дозволені; діелектрична стала epsilon_∞ = 9,3; показник заломлення n = 3,1–1,63; оптична ефективна маса електрону m^*_opt= 0,11 m_o; енергія плазмону hω_p= 0,6 еВ. Виявлені структурні особливості у спектрах дзеркального відбиття світла від плівок InN вперше інтерпретовано як обумовлені електронними переходами з енергетичних рівнів валентної зони у зону провідності. Запропоновано зонну діаграму полікристалічних плівок InN. В спектрах характеристичних втрат енергії електронів в тонких полікристалічних шарах InN встановлено кореляцію енергетичного спектру з міжзонними переходами: Г^v₆ – Г^c₃ (3,6 еВ); M^v₂ – M^c₁, U^v₄ – U^c₃ (6,2 еВ); K^v₃ – K^c₂ і M^v₄ – M^c₃ (8,0 еВ). В ІЧ-спектрах відбиття та спектрах раманівського розсіювання світла в плівках InN виявлено чотири основні смуги, обумовлені коливаннями TO та LO фононів, відповідно. Результати розрахунку зонної енергетичної структури InN методом модельного псевдопотенціалу, задовільно узгоджуються з одержаними експериментальними даними. Доведено довгострокову стабільність оптоелектричних параметрів полікристалічних плівок InN та обгрунтовано принципову можливість їх практичного застосування як елементів гетеропереходів InN/Si комірок високоефективних сонячних батарей з к.к.д. більше 30 %.

• Малахов Владислав Якович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"