Strelchuk V. V. Radiation Anisotropy and Ordering Effects Inherent to Quantum Dots and Wires in (In, Ga)As/GaAs Nanostructures / V. V. Strelchuk, P. M. Lytvyn, A. F. Kolomys, M. P. Lysytsya, M. Ya. Valakh, Yu. I. Mazur, Z. M. Wang, G. J. Salamo // Ukr. J. Phys. Optics. - 2005. - 6, № 2. - С. 78-84. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.Atomic force microscopy and polarised luminescence is used for studying interrelations between the surface morphology and the optical properties of multilayer (In, Ga)As/GaAs(100) nanostructures grown with molecular-beam epitaxy technique, which possess self-organised quantum dots and quantum wires. With increasing number of periods in the structure, aligning of the quantum dots in rows parallel to the crystal direction [<$E01~ 1 bar>] is observed. The improvement of lateral ordering correlates with increasing radiation anisotropy of the structure. A possible ordering mechanism is discussed. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В372
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж42080 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|