Гузій С. Г. Моделювання процесів формування резистивної матриці в системі <$E bold {beta - roman {C sub 2 S~-~Na sub 2 O}~cdot~n roman SiO sub 2~cdot~m roman {H sub 2 O}}> / С. Г. Гузій // Вісн. Вінниц. політехн. ін-ту. - 2002. - № 2. - С. 17-20. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.
У результаті математичного моделювання встановлено принципову можливість одержання резистивної матриці в модельній системі <$E beta - roman {C sub 2 S~-~Na sub 2 O}~cdot~n roman SiO sub 2~cdot~m roman {H sub 2 O}> та визначено оптимальну область існування складів в'яжучого, які за своїми електромеханічними властивостями задовольняють вимоги нормативних рівнів: <$E roman Rст~symbol У~35> МПа та <$E rho~>>~108~roman {Ом~cdot~м}>.
Шифр НБУВ: Ж68690Пошук видання у каталогах НБУВДодаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"