Досліджено кінетику поверхневого струму в p - n структурах на основі GaAs після їх вміщення у концентровані вологі пари аміаку. Показано, що нахил виміряних часових залежностей струму є немонотонним. Дане явище пояснено за врахуванням наявності глибоких поверхневих рівнів, які заповнюються, коли квазірівень Фермі рухається в сторону зони провідності. Аналіз кінетики поверхневого струму в p - n структурах на основі GaAs у вологих парах аміаку надав можливість оцінити глибини деяких поверхневих рівнів. Глибини основних виявлених поверхневих рівнів складають 0,206, 0,185 і 0,176 еВ від c-зони. В інтервалі глибин 0,185 - 0,176 еВ виявлено додаткові поверхневі рівні, розподілені неперервно з практично постійною щільністю.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"