Клим Г. І. Термоіндуковані кристалізаційні процеси в халькогенідних стеклах Ge-Ga-Se / Г. І. Клим, О. Й. Шпотюк, Б. Я. Кулик // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2014. - № 798. - С. 41-46. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.Досліджено термоіндуковані кристалізаційні процеси в халькогенідних стеклах 80GeSe2 - 20Ga2Se3 з використанням рентгенівської дифрактометрії, атомно-силової мікроскопії та позитронної анігіляційної спектроскопії. Показано, що спостережувані зміни в дефектній компоненті анігіляційного спектра під час відпалу свідчать про нуклеацію, яка супроводжується агломерацією пустот на початкових етапах термічного відпалу з подальшою структурною фрагментацією великих вільнооб'ємних пустот у більшу кількість пустот меншого розміру за одночасної кристалізації фаз GeGa4Se, Ga2Se3 і GeSe2. Зважаючи на відхилення значень часу життя позитронів <$E tau sub roman b> від відповідних значень для компонентів GeSe2 і Ga2Se3, досліджувані стекла не можна класифікувати як типові псевдобінарні системи. Індекс рубрикатора НБУВ: Л43-106.44
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|