Клюй М. І. Вплив телуру на деградаційну стійкість кристалів напівізолюючого арсеніду галію / М. І. Клюй, А. І. Ліптуга, В. Б. Лозінський, А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, Ф. В. Фомовський, В. О. Юхимчук // Укр. фіз. журн.. - 2014. - 59, № 11. - С. 1094-1098. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Показано, що вихідні, необроблені кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, після ВЧ-обробок деградують суттвєо менше у порівнянні зі зразками, легованими хромом. Даний ефект свідчить про суттєвий вплив типу компенсуючої домішки на деградаційну стійкість матеріалу. Також встановлено, що кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, що пройшли попередню обробку в плазмі водню, мають вищу деградаційну стійкість до впливу тривалих високочастотних і мікрохвильових обробок, у порівнянні з необробленими кристалами. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|