Авксентьев Ю. А. Сравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии / Ю. А. Авксентьев, С. Ю. Ларкин, П. В. Парфенюк // Электроника и связь. - 2014. - 19, № 2. - С. 30-35. - Библиогр.: 19 назв. - рус.Приведены результаты сравнения эффективности рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках (КТ) и квантовых ямах (КЯ), излучающих в зеленом диапазоне спектра. Результаты оптических исследований с использованием температурно-зависимой фотолюминесценции показали, что внутренняя квантовая эффективность InGaN КТ при комнатной температуре была в 8,7 раза больше, чем полученная для InGaN КЯ из-за лучшей пространственной локализации электрически заряженных частиц. Результаты измерений спектров фотолюминесценции при различных уровнях лазерного возбуждения показали, что влияние поляризационно-встроенных электрических полей на рекомбинационные процессы электрически заряженных частиц в КТ ничтожно малы по сравнению с КЯ. Полученные результаты показывают, что InGaN КТ улучшают эффективность люминесценции светодиодов в зеленом и голубом спектральных диапазонах. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|