Саченко А. В. Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций / А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, В. Н. Шеремет // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр.. - 2013. - Вып. 48. - С. 5-29. - Библиогр.: 64 назв. - рус.Обобщен цикл экспериментальных и теоретических исследований температурных зависимостей удельного контактного сопротивления <$E rho sub c ( T )> омических контактов к широкозонным полупроводникам A<^>3B<^>5 и к кремнию с учетом атермического воздействия микроволнового излучения. На основе теоретического анализа <$E rho sub ( T )> предложен новый способ увеличения <$E rho sub c> с повышением температуры измерения. В нем учитывается токопрохождение по металлическим шунтам, совмещенным с перпендикулярными к границе раздела металл - полупроводник дислокациями. Показано, что малое поперечное сечение металлических шунтов обусловливает реализацию большого потенциала сил зеркального изображения, превышающего исходную величину барьера Шоттки. В результате этого возникают обогащающие изгибы зон у торцов шунтов, реализуются диффузионная теория токопрохождения в контакте, а также зависимость величины <$E rho sub c> от подвижности электронов. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей <$E rho sub c ( T )> для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, совмещенных с металлическими шунтами. Показана возможность уменьшения <$E rho sub c> омических контактов к соединениям A<^>3B<^>5 и Si, подвергнутых атермической микроволновой обработке. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|