![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000564052<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Сукач А. В. Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, В. І. Іващенко, О. К. Порада, А. О. Козак, А. І. Ткачук, А. Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр.. - 2013. - Вып. 48. - С. 96-104. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196 - 353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т << 300 <$E symbol Р>C) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки c-Si з дірковим типом провідності. З'ясовано роль гетеромежі у механізмах перенесення зяряду та фоточутливості гетеропереходів. Виконано оцінки основних електрофізичних параметрів шарів a-SiCN. Показано, що прямі ВАХ пояснюються у межах теорії монополярної інжекції з рівномірним розподілом пасток за енергією. Зворотні ВАХ зумовлені вкладом генераційно-рекомбінаційної та тунельно-рекомбінаційної компонент. Фоточутливість гетеропереходів пояснюється локалізацією активної області виключно в p-Si. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|