Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвіч-структури р<^>+-PbTe/p-CdTe/p<^>+-PbTe на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTe на гетеромежі p<^>+-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар'єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал - p<^>+-PbTe/p-CdTe. ВАХ таких контактів зумовлена монополярною інжекцією дірок із p<^>+-PbTe. Досліджено вертикальний та латеральний транспорт носіїв заряду і визначено енергії активації темнового струму. Латеральний транспорт пояснюється наявністю потенціального бар'єра на міжзеренній межі у полікристалічних шарах p-CdTe. При цьому механізм перенесення заряду є термоемісійним. Виконано оцінку висоти потенціального бар'єра, яка становила ~ 0,1 еВ за кімнатної температури.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Ткачук Андрій Іванович (технічні науки)
• Ткачук Анна Іллівна (історичні науки)
• Ворощенко Андрій Тарасович (фізико-математичні науки)
• Кравецький Михайло Юрійович (фізико-математичні науки)
• Луцишин Ірина Григорівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"