Предложен модернизированный кремниевый МДП-фоготранзистор с использованием поверхностной инфракрасной фотопроводимости, его расчет и конструкция в оптической связи. МДП-фоготранзистор представляет собой МДП-транзистор с полупрозрачным затворным электродом, через который производится освещение подзатворной области полупроводника. Исследованы основные характеристики в режиме работы накопления заряда фототранзистора. Предлагаемое устройство позволяет осуществить прием оптической информации в условиях малых световых потоков видимого и ультрафиолетового диапазонов. Преимущество представленной методики состоит в повышении фоточувствительности приборов. Динамический диапазон прибора существенно расширен но сравнению со стационарным режимом. Определены параметры фототранзистора и технические характеристики фотоприемных устройств.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"