Афанас'єва Т. В. Дослідження взаємодії атомів елементів IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001) / Т. В. Афанас'єва // Укр. фіз. журн.. - 2015. - 60, № 2. - С. 130-140. - Бібліогр.: 58 назв. - укp.Наведено результати досліджень адсорбції та дифузії атомів елементів IV (Si, Ge), V (As, Sb, Bi) груп на поверхні Si(001) та Ge(001) за допомогою методів квантової хімії. Досліджено механізм впливу адсорбції атомів елементів V групи на властивості грані (001) кремнію. Проаналізовано роботи, присвячені проблемам адсорбції та коадсорбції атомів елементів V групи (As, Sb та Ві) та кисню на поверхні Si(001), дифузії аддимерів Ві на поверхні Si(001) та аддимерів Si, Ge на поверхні Ge(001). Результати досліджень демонструють високий потенціал методів квантової хімії для отримання унікальної інформації про взаємодію адсорбатів з поверхнею напівпровідника. Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.24 + В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|