Досліджено залежності електропровідності <$Esigma>, коефіцієнта Зеєбека S, коефіцієнта Холла RH, рухливості носіїв заряду <$Emu sub roman H> і термоелектричної потужності <$Eroman {P~=~S} sup 2 sigma> від товщини d (d = 5 - 210 нм) тонких плівок GeTe, вирощених за методом термічного випаровування у вакуумі кристалів GeTe з наступною конденсацією на підкладки (001) KCl за температури TS = 520 K. Для плівок різних товщин одержано температурні залежності <$Esigma ,~R sub roman H> і <$Esigma sub roman H> в інтервалі 80 - 300 К і визначено степеневий коефіцієнт <$Enu> в залежності <$Emu sub roman H (T)>. За допомогою методів електронної мікроскопії та електронографії показано, що плівки мають ромбоедричну структуру, що відповідає низькотемпературній <$Ealpha>-модифікації GeTe, і ростуть переважно з орієнтацією (111) й (<$E1 Bar>11) || (001) KСl. Встановлено, що зі зростанням товщин плівок до ~ 100 - 150 нм значення <$Esigma ,~mu sub roman H> і <$Enu> монотонно збільшуються, залежності RH(d), S(d) і P(d) мають вигляд кривих з максимумом за ~ 75 нм, а у разі подальшого збільшення d кінетичні коефіцієнти практично не змінюються. Наявність залежності властивостей від товщини плівок свідчить про прояв у плівках GeTe класичного розмірного ефекту. Теоретичний розрахунок залежності <$Esigma (d)>, проведений у рамках теорії Фукса - Зондгеймера, добре узгоджується з експериментальними даними. Встановлено, що концентрації дірок у плівках нижчі, а значення S і P вищі, ніж у масивному кристалі. Максимальні значення Р досягаються за d ~ 75 нм.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Рогачова Олена Іванівна (технічні науки)
• Водоріз Ольга Станіславівна (технічні науки)
• Сіпатов Олександр Юрійович (фізико-математичні науки)
• Федоров Олександр Григорович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"