За температури Т = 77,4 K досліджено тензоопір монокристалів n-Si і n-Ge в широкому інтервалі концентрацій <$E 10 sup 14~symbol Г~n sub e~symbol Г~2~cdot~10 sup 19> см<^>-3 і механічних напружень <$E 0~symbol Г~x~symbol Г~1,5> ГПа та обговорено деякі його особливості, що проявляються на межі виродження електронного газу в цих кристалах. Наведено фізичне обгрунтування одержаних результатів.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"