Досліджено температурну залежність електропровідності поруватого кремнію та термічно окисненого поруватого кремнію в режимах постійного та змінного струму в інтервалі 80 - 370 К. Одержані результати проаналізовано в межах моделі невпорядкованих напівпровідників та визначено механізми перенесення носіїв заряду. На основі спектрів термостимульованої деполяризації виявлено локалізовані електронні стани, які впливають на електротранспортні властивості поруватого кремнію. Показано, що термічне окиснення зумовлює зміну густини заповнення станів в різних енергетичних діапазонах та розширення температурного діапазону, в якому реалізується стрибкоподібний механізм провідності поруватого кремнію.

• Оленич Ігор Богданович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"