Наноструктуры в форме тонких пленок, которые проявили полупроводниковые свойства, с узкой энергетической запрещенной зоной были осаждены методом импульсного лазерного осаждения (PLD) из мишеней CrSi2 и <$E beta>-FeSi2 с применением эксимерного KrF-лазера. Пленки, осажденные из мишени CrSi2 на подложку << 100 >> Si при температурах 293 К и 740 К, имели ширину запрещенной зоны <$E E sub g~symbol @~0,09> эВ и 0,18 эВ соответственно. Пленки, осажденные из мишени <$E beta>-FeSi2 на подложку << 100 >> Si при тех же условиях, имели ширину запрещенной зоны <$E E sub g~symbol @~0,16> эВ и 0,31 эВ соответственно. Наибольшее значение коэффициента термоэдс (коэффициента Зеебека) S для пленок на основе CrSi2 при осаждении на нагретую подложку при 740 К составляет около 1,4 мВ/К при <$E 300~symbol Г~T~symbol Г~340> К. Наибольшее значение коэффициента S для пленок на основе <$E beta>-FeSi2 при осаждении на нагретую так же подложку составляет около 1,5 мВ/К в том же интервале температур. Чем больше Eg, тем большее значение было установлено для коэффициента S. Рентгенодифракционный анализ показал, что пленки, осажденные на Si-подложки, имели поликристаллическую структуру, а пленки, осажденные на SiO2-подложки, были аморфными. Что касается коэффициента S для пленок, осажденных на подложки Si и SiO2, то он для поликристаллических пленок оказался больше, чем для аморфных. Чем больше концентрация полупроводниковой фазы в осажденных пленках, тем больше коэффициент S. Таким образом, PLD-метод с применением эксимерного KrF-лазера является эффективным методом осаждения наноструктур в форме тонких пленок, которые весьма удобны для термосенсоров, работающих при умеренных температурах.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"