Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000571455<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Palash Das Confined energy state based hypothetical observations about device parameters of AlGaN / GaN HEMT / Palash Das, Dhrubes Biswas // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 1. - С. 01006(3). - Бібліогр.: 11 назв. - англ.In this paper, the gate threshold voltage of AlGaN / GaN HEMT devices has been analytically predicted based on the calculated energy levels inside triangular quantum well at the hetero-interface and found to be comparable with experimental data. The conceptual explanation of device linearity in large signal applications has been presented in terms of quantized energy levels in the quantum well. The dependence of threshold voltage and linear operable gate voltage range on a newly introduced parameter named "Surface Factor" is analyzed as well. Індекс рубрикатора НБУВ: В379
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|