Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p-i-n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды.

Розроблено технологію вирощування двосторонніх високовольтних кремнієвих p-i-n-структур мето¬дом рідиннофазної епітаксії в єдиному технологічному процесі. Електрофізичні параметри одержаних структур дозволяють виготовляти на їх основі високовольтні діоди.

Silicon p-i-n-structures are usually obtained using conventional diffusion method or liquid phase epitaxy (LPE). In both cases, the formation of p- and n-layers occurs in two stages. This technological approach is quite complex. Moreover, when formingbilateral high-voltage epitaxial layers, their parameters significantly deteriorate as a result of prolonged heat treatment of active high-resistivity layer. Besides, when using diffusion method, it is impossible to provide good reproducibility of the process. In this paper a technique of growing bilateral high-voltage silicon p-i-n-structures by LPE in a single process is proposed. The authors have obtained the optimum compounds of silicon-undersaturated molten solutions for highly doped (5•10{\up\fs8 18} cm{\up\fs8 –3}) contact layers: 0.4 - 0.8 at. % aluminum in gallium melt for growing p-Si-layers and 0.03 - 0.15 at. % ytterbium in tin melt for n-Si-layers. Parameters of such structures provide for manufacturing of high-voltage diodes on their basis. Such diodes can be used in navigational equipment, communication systems for household and special purposes, on-board power supply systems, radar systems, medical equipment, etc.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"