Kuzmenko A. P. Stress topology within silicon single-crystal cantilever beam / A. P. Kuzmenko, D. I. Timakov, P. V. Abakumov, M B. Dobromyslov, L. V. Odnodvorets // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2013. - 5, 3 (ч. 1). - С. 03024-1-03024-5. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.Flexural elastic deformations of single-crystal silicon with microspectral Raman scattering are studied. The investigation results are given on nano-scaled sign-changing shifts of the main peak of the microspectral Raman scattering within the single-crystal silicon cantilever beam under influence of flexural stress. The maximum value of Raman shift characteristic of silicon peak equal to 518 cm-1, when elasticity still remains, amounted to 8 cm-1. The qualitative explanation of increase in strength of the cantilever beam due to its small thickness (2mu m) is provided, which is in accord with predictions of real-world physical parameters that were obtained in software environment SolidWorks with the module SimulationXpress. Індекс рубрикатора НБУВ: В251.620.35
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|