Досліджено фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe, в яких фронтальний шар In₂O₃ є наноструктурованим. Виявлено, що спектри фоточутливості таких гетеропереходи суттєво залежать від поверхневої топології оксиду. Це свідчить про те, що оксид в парі з напівпровідниковою підкладкою відіграє не лише роль активної компоненти структури, але і одночасно слугує комірчастим дифракційним елементом. Поверхневу топологію оксиду досліджено за допомогою атомно-силового мікроскопа. За різних умов окиснення InSe поверхня зразків містила наноформування переважно у формі наноголок. Їх структура мала як невпорядкований, так і впорядкований характер. Оптичний розмірний ефект у плівці оксиду виявлено завдяки поєднанню властивостей наноструктуризованої поверхні In₂O₃ і анізотропного поглинання світла в InSe. Чим вище відхилення падаючого світла від його нормального напрямку, викликане наноструктурованою поверхнею оксиду, тим більші зміни у фотогенерації носіїв в анізотропному напівпровіднику. Ці зміни полягали в розширенні смуги фотовідгуку, а також в особливостях поведінки екситонної лінії у спектрі гетеропереходу. Чим вище густина і впорядкування наноголок, тим більше довгохвильовий зсув смуги фотовідгуку і інтенсивніший екситонний пік у спектрі.

• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Катеринчук Валерій Миколайович (фізико-математичні науки)
• Кудринський Захар Русланович (фізико-математичні науки)
• Литвин Оксана Степанівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"