Розглянуто процеси перебудови дефектів приповерхневого шару кристалів p-Si для сонячної енергетики ("сонячний" кремній) та для потреб сучасної мікроелектроніки ("електронний" кремній), стимульованих дією Х-опромінення та пружного механічного навантаження. Використання методик електрофізичних досліджень, ємнісно-модуляційної спектроскопії, оптичної, електронної та атомно-силової мікроскопії дозволило встановити закономірності відповідних змін характеристик. Показано, що різні швидкості подачі механічного навантаження у досліджених кристалах p-Si, що піддані дії радіації, призводять до взаємно протилежних змін в електропровідності. Вперше виявлено ефект "радіаційної пам'яті" в одновісно деформованих кристалах. Визначено глибини залягання енергетичних рівнів структурних дефектів, перерізи захоплення носіїв заряду й їх радіаційно-стимульовані зміни. На поверхні (111) експериментальних зразків p-Si для сонячної енергетики вперше виявлено формування агрегатів домішково-вакансійних комплексів і міжвузлових атомів у вигляді однаково орієнтованих чотирикутних пірамід розміром від 1 до 10 мкм. Запропоновані фізична та математична моделі процесу радіаційно-стимульованої перебудови дефектів в приповерхневих шарах кристалів \i р \i0-Si та ПБС на їх основі добре корелюють із результатами експериментальних досліджень.

• Лис Роман Мирославович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"