Сльотов М. М. Використання CdxMg1-xTe у фотосенсорах / М. М. Сльотов, О. М. Сльотов, К. С. Ульяницький // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2015. - 12, № 2. - С. 36-41. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Досліджено можливість отримання сенсорів на основі твердого розчину CdxMg1-xTe. Встановлено, що дифузія складової Mg дозволяє істотно змінювати електричні, фотоелектричні та люмінесцентні властивості Cd0,8Mg0,2Te. Дифузійним шарам властива інверсія типу провідності і формування ними p - n-переходу з базовим матеріалом. Ізовалентний характер легуючої домішки зумовлює одержання у крайовій області високої фоточутливості і фотолюмінесценції зі зовнішнім квантовим виходом 8 - 10 %. Індекс рубрикатора НБУВ: З854
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|