Досліджено п'єзоопір монокристалів n-Ge для випадку одновісного тиску вздовж кристалографічного напрямку. Одержано залежності коефіцієнта тензочутливості для таких умов експерименту за різних фіксованих температур. Показано, що максимум коефіцієнта тензочутливості припадає на діапазон одновісних тисків 2,3 - 2,5 ГПа та зменшується зі збільшенням температури. Таке зменшення за температур, коли не проявляється ще власна провідність, пояснюється "виключенням" механізму розсіяння електронів на міждолинних та оптичних фононах за інверсії типу (<$E roman L sub 1~-~DELTA sub 1>) абсолютного мінімуму в n-Ge. За температур T >> 240 K необхідно додатково, у разі високих одновісних тисків, враховувати збільшення концентрації електронів в зоні провідності за рахунок власної провідності, що впливає як на величину п'єзоопору, так і коефіцієнта тензочутливості n-Ge.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бурбан Олександр Вікторович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"