Наведено результати комплексних досліджень ефекту наноструктурування базових напівпровідників оптоелектроніки Si і GaAs, підданих дії УЗ кавітації в рідкому азоті. Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів GaAs і Si ультразвуком (1 - 6 МГц, 15 Вт/см²), енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості. Наноструктури залежно від типу підкладки мають розміри до ~ 11 - 15 нм для GaAs і від 30 до ~ 70 нм - для Si. Розширення діапазону фоточутливості як кремнію, так і арсеніду галію можна пояснити ефектом вбудовування азоту в решітку матриці з утворенням нових сполук.

• Савкіна Рада Костянтинівна (фізико-математичні науки)
• Смірнов Олексій Борисович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"