За допомогою методу оптичної спектроскопії досліджено область фундаментального поглинання тонких плівок ZnGa₂O₄, одержаних за допомогою методу високочастотного іонно-плазмового розпилення. Встановлено, що оптична ширина забороненої зони E_g зростає від 4,81 до 4,98 еВ після відновлення відпалених плівок у атмосфері водню. Оцінено зведену ефективну масу вільних носіїв заряду у плівках ZnGa₂O₄ після відпалу плівок м після відновлення у водні. Встановлено, що концентрація носіїв заряду після відновлення у водні, становить 8,16 x 10¹⁸ см^-3, що є характерним для вироджених напівпровідників. Показано, що зсув краю фундаментального поглинання в тонких плівках ZnGa₂O₄ після відновлення у водні зумовлений ефектом Бурштейна - Мосса.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бордун Олег Михайлович (фізико-математичні науки)
• Бордун Олександр Миколайович (сільськогосподарські науки)
• Бігдай Володимир Гаррійович (фізико-математичні науки)
• Кухарський Ігор Йосифович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"