Теоретично досліджено ефект взаємного перемішування у сильнонапруженій квантовій ямі In0,3Ga0,7As/GaAs, беручи до уваги зміну концентраційного профілю в результаті in situ поверхневої сегрегації індію. З метою вивчення впливу ефектів сегрегації на взаємне перемішування в післяростовий період, числово розв'язано одновимірне рівняння Шредінгера в стаціонарному режимі та другий закон дифузії Фіка, використовуючи методи скінчених різниць. Розглянуто вплив взаємної дифузії In/Ga на енергію емісії квантової ями для різних коефіцієнтів сегрегації індію. Результати показують, що енергія емісії взаємноперемішаних квантових ям сильно залежить від ефектів сегрегації. Виявлено, що підсилений взаємною дифузією енергетичний зсув значно зменшується для вищих коефіцієнтів сегрегації. Ця робота значно поглиблює розуміння та моделювання ефектів взаємної дифузії у напівпровідникових наноструктурах.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"