Тонкі плівки Si - C - N осаджено на кремнієві підкладки реактивним магнетронним розпиленням кремній-вуглецевої мішені на постійному струмі та за різних співвідношень потоків азоту F_N2 і аргону F_Ar. Для дослідження структури, хімічних зв'язків, морфології поверхні та механічних властивостей одержаних Si - C - N-плівок використано рентгенівську дифракцію, інфрачервону спектроскопію, рентгенівську фотоелектронну спектроскопію, атомно-силову мікроскопію та наноіндентування. Встановлено, що всі одержані тонкі плівки Si - C - N є рентгеноаморфними. Шорсткість поверхні плівок слабо залежить від F_N2 і складає 0,23 - 0,28 нм. Збільшення F_N2 призводить до появи і посилення Si - N- і C - N-зв'язків та послаблення Si - C-зв'язків. Тонкі плівки містять невелику кількість кисню, який утворює зв'язки Si - O і С - O, причому останні послаблюються з ростом F_N2. Нанотвердість аморфних тонких плівок SiC дорівнює 23 ГПа, пружний модуль - 207 ГПа. Нанотвердість і модуль пружності тонких плівок Si - CіN зменшуються зі збільшенням потоку азоту, що пов'язано з ослабленням Si - C-зв'язків.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Козак Андрій Олександрович (фізико-математичні науки)
• Іващенко Володимир Іванович (1956–) (фізико-математичні науки)
• Порада Олександр Карпович (технічні науки)
• Іващенко Людмила Анатоліївна (економічні науки)
• Іващенко Людмила Андріївна (технічні науки)
• Синельниченко Олексій Корнійович (фізико-математичні науки)
• Дуб Сергій Миколайович (технічні науки)
• Литвин Оксана Степанівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"