Bodilovska D. S. Analysis of 1D and 3D distribution of electric potential in the porphyrin-coated silicon nanowire field-effect transistors = Анализ одно- и трехмерного распределения электрического потенциала в полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода покрытого порфирином / D. S. Bodilovska // Электроника и связь. - 2014. - 19, № 5. - С. 9-13. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Проанализированы распределения электрического потенциала в нелегированном полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода (ПТ с Si-НП) с конфигурацией нижнего затвора, покрытого органическим соединением - порфирином. Изучено одномерное распределение электростатического потенциала вдоль различных осей ПТ с Si-НП для последующих изучений характеристик переноса электронов.
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"