Experimental data on manufacturing the ohmic contacts Au - Ti - Pd - n⁺ - InP, formed using vacuum deposition of metal onto a heated to <$E300~symbol Р roman C> substrate representing an epitaxial n<^>+-n-n<^>++-n<^>+++-InP structure. The specific contact resistance measured at room temperature was about <$E7~cdot~10 sup -5 ~roman {Ohm~cdot~cm sup 2 }>. Voltage-current characteristics within the temperature range 110 to 380 K are linear. Gunn diodes with such contacts, which were made as a straight mesa-structure in a pulsed mode (pulse duration of 100 ns, pulse ratio of 1000, operating current of 2,2 A), generated the microwave power ~ 10 mW in the V-band.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"